SanDisk и Toshiba представиха 19 nm NAND флаш памет

Американският производител на паметови устройства SanDisk и японците от Toshiba представихa 64-гигабитов, X2 NAND флаш чип, направен по 19-нанометрова технология – най-напредналата технология за производството на твърдотелна памет, използвана досега. Новата памет е по-малка дори от показаната през миналата седмица 20-нанометрова версия на Intel и Micron.

Паметта ще може да бъде поставяна във всякакви устройства – от смартфони до лаптопи и таблети. Създадената от SanDisk архитектура All-Bit-Line (ABL) ще позволи правилното програмиране на алгоритмите и управление на данните на множество нива. Тя ще улесни поддръжката на многоклетъчните твърдотелни флаш чипове, без да се жертва тяхната производителност и надеждност.

От компанията заявиха, че модели на новите чипове ще бъдат представени до края на юни, а серийното им производството ще започне през втората половина на 2011 г. съвместно с Toshiba. През това време SanDisk ще добави към линията си и 3-битови (X3) продукти, направени по новата технология.